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SPB35N10 G Image

Infineon Technologies SPB35N10 G

MFG-Teilenummer
SPB35N10 G
verfügbare Anzahl
63450 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
SIPMOS® MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
SPB35N10 G.pdf
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SPB35N10 G Spezifikationen

Herstellerteilenummer SPB35N10 G
Zukünftige Teilenummer FT-SPB35N10 G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie SIPMOS®
SPB35N10 G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44 mOhm @ 26.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 83µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1570pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Paket / fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPB35N10 G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SPB35N10 G-FT

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