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Infineon Technologies SPB35N10 G

Name: SPB35N10 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB35N10 G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (276 reviews)

MFG-Teilenummer: SPB35N10 G

verfügbare Anzahl: 63450 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: SIPMOS® MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SPB35N10 G.pdf

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SPB35N10 G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SPB35N10 G
Zukünftige Teilenummer	FT-SPB35N10 G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	SIPMOS®
SPB35N10 G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	44 mOhm @ 26.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 83µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1570pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO263-3-2
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPB35N10 G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SPB35N10 G-FT

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