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Infineon Technologies SPB80N06S08ATMA1
- MFG-Teilenummer
- SPB80N06S08ATMA1
- verfügbare Anzahl
- 10770 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kurze Beschreibung
- SIPMOS® MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- SPB80N06S08ATMA1.pdf
SPB80N06S08ATMA1 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | SPB80N06S08ATMA1 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-SPB80N06S08ATMA1 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | SIPMOS® |
| SPB80N06S08ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7 mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 187nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3660pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SPB80N06S08ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | SPB80N06S08ATMA1-FT |
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