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Infineon Technologies SPP02N60C3HKSA1

Name: SPP02N60C3HKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPP02N60C3HKSA1
Availability: InStock
Rating: 4.7 (761 reviews)

MFG-Teilenummer: SPP02N60C3HKSA1

verfügbare Anzahl: 52050 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SPP02N60C3HKSA1.pdf

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SPP02N60C3HKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SPP02N60C3HKSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-SPP02N60C3HKSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolMOS™
SPP02N60C3HKSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	1.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 80µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	12.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	25W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO220-3-1
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPP02N60C3HKSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SPP02N60C3HKSA1-FT

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