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Infineon Technologies SPP11N65C3XKSA1

MFG-Teilenummer
SPP11N65C3XKSA1
verfügbare Anzahl
90210 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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SPP11N65C3XKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SPP11N65C3XKSA1
Zukünftige Teilenummer FT-SPP11N65C3XKSA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie CoolMOS™
SPP11N65C3XKSA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPP11N65C3XKSA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SPP11N65C3XKSA1-FT

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