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Herstellerteilenummer | SQ1912EH-T1_GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SQ1912EH-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQ1912EH-T1_GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Standard |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 800mA (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.15nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 10V |
Leistung max | 1.5W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-70-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ1912EH-T1_GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SQ1912EH-T1_GE3-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMC25D0UVT-13
Diodes Incorporated
DMC2038LVTQ-7
Diodes Incorporated
IRF5810
Infineon Technologies
IRF5810TR
Infineon Technologies
IRF5810TRPBF
Infineon Technologies
IRF5850
Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies
XCV400-4FG676I
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-VQ100
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP3C25U256A7N
Intel
LFE3-150EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F40I2SGES
Intel
EP3SL150F780C4N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel