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Vishay Siliconix SQ4153EY-T1_GE3

Name: SQ4153EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4153EY-T1_GE3
Price: 0.62976 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (346 reviews)

MFG-Teilenummer: SQ4153EY-T1_GE3

verfügbare Anzahl: 68590 Stücke

Referenzpreis: USD 0.62976

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SQ4153EY-T1_GE3.pdf

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SQ4153EY-T1_GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SQ4153EY-T1_GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SQ4153EY-T1_GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQ4153EY-T1_GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.32 mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	151nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	11000pF @ 6V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	7.1W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-SOIC
Paket / fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQ4153EY-T1_GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SQ4153EY-T1_GE3-FT

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