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Herstellerteilenummer | SQ4470EY-T1_GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SQ4470EY-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SQ4470EY-T1_GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 16A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3165pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 7.1W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SO |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ4470EY-T1_GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SQ4470EY-T1_GE3-FT |
SI4464DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4466DY-T1-E3
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SI4466DY-T1-GE3
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Xilinx Inc.
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5CGXFC7C6U19A7N
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