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Vishay Siliconix SQJ262EP-T1_GE3

Name: SQJ262EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ262EP-T1_GE3
Price: 0.47232 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (160 reviews)

MFG-Teilenummer: SQJ262EP-T1_GE3

verfügbare Anzahl: 16980 Stücke

Referenzpreis: USD 0.47232

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SQJ262EP-T1_GE3.pdf

SQJ262EP-T1_GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SQJ262EP-T1_GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SQJ262EP-T1_GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQJ262EP-T1_GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	15A (Tc), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Leistung max	27W (Tc), 48W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQJ262EP-T1_GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SQJ262EP-T1_GE3-FT

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