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Vishay Siliconix SQJ958EP-T1_GE3
- MFG-Teilenummer
- SQJ958EP-T1_GE3
- verfügbare Anzahl
- 72340 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.384808
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Vishay Siliconix
- Kurze Beschreibung
- Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- SQJ958EP-T1_GE3.pdf
SQJ958EP-T1_GE3 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | SQJ958EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-SQJ958EP-T1_GE3 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| SQJ958EP-T1_GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34.9 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1075pF @ 30V |
| Leistung max | 35W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SQJ958EP-T1_GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | SQJ958EP-T1_GE3-FT |
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