Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays / SQJ968EP-T1_GE3

Vishay Siliconix SQJ968EP-T1_GE3

Name: SQJ968EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ968EP-T1_GE3
Price: 0.41984 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (641 reviews)

MFG-Teilenummer: SQJ968EP-T1_GE3

verfügbare Anzahl: 33520 Stücke

Referenzpreis: USD 0.41984

Unser Preis: Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns

Versanddatum: Wir können heute ausliefern

Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SQJ968EP-T1_GE3.pdf

SQJ968EP-T1_GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SQJ968EP-T1_GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SQJ968EP-T1_GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQJ968EP-T1_GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33.6 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	18.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	714pF @ 30V
Leistung max	42W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8 Dual
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQJ968EP-T1_GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SQJ968EP-T1_GE3-FT

Wie man bestellt?

Angebotsanfrage - Preis bestätigen - Bestellung - Zahlung - Versand - Fertig

Versandarten

1) DHL (1-3 days)
2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Frachtberechnung: Bitte kontaktieren Sie uns