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Vishay Siliconix SQJQ466E-T1_GE3

MFG-Teilenummer
SQJQ466E-T1_GE3
verfügbare Anzahl
84490 Stücke
Referenzpreis
USD 1.175056
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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SQJQ466E-T1_GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SQJQ466E-T1_GE3
Zukünftige Teilenummer FT-SQJQ466E-T1_GE3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQJQ466E-T1_GE3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 200A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10210pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® 8 x 8
Paket / fall 8-PowerTDFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQJQ466E-T1_GE3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SQJQ466E-T1_GE3-FT

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