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Vishay Siliconix SQJQ466E-T1_GE3

Name: SQJQ466E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJQ466E-T1_GE3
Price: 1.175056 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (112 reviews)

MFG-Teilenummer: SQJQ466E-T1_GE3

verfügbare Anzahl: 84490 Stücke

Referenzpreis: USD 1.175056

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SQJQ466E-T1_GE3.pdf

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SQJQ466E-T1_GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SQJQ466E-T1_GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SQJQ466E-T1_GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQJQ466E-T1_GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	200A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	10210pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerPAK® 8 x 8
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQJQ466E-T1_GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SQJQ466E-T1_GE3-FT

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