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Vishay Siliconix SQM200N04-1M1L_GE3

Name: SQM200N04-1M1L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM200N04-1M1L_GE3
Price: 1.857768 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (423 reviews)

MFG-Teilenummer: SQM200N04-1M1L_GE3

verfügbare Anzahl: 26680 Stücke

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET N-CH 40V 200A TO-263

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SQM200N04-1M1L_GE3.pdf

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SQM200N04-1M1L_GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SQM200N04-1M1L_GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SQM200N04-1M1L_GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SQM200N04-1M1L_GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	200A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	413nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	20655pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	TO-263-7
Paket / fall	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQM200N04-1M1L_GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SQM200N04-1M1L_GE3-FT

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