Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SQR40N10-25_GE3
Herstellerteilenummer | SQR40N10-25_GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SQR40N10-25_GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SQR40N10-25_GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3380pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 136W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQR40N10-25_GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SQR40N10-25_GE3-FT |
SIR640ADP-T1-GE3
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SIR640DP-T1-GE3
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SIR642DP-T1-GE3
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SIR644DP-T1-GE3
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SIR646DP-T1-GE3
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SIR688DP-T1-GE3
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SIR788DP-T1-GE3
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SIR802DP-T1-GE3
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SIR804DP-T1-GE3
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LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
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EP3CLS70U484I7
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5SGSED6K2F40C3N
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EP4CE10E22C9L
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LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel