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Vishay Siliconix SQS411ENW-T1_GE3

Name: SQS411ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS411ENW-T1_GE3
Price: 0.29832 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (588 reviews)

MFG-Teilenummer: SQS411ENW-T1_GE3

verfügbare Anzahl: 87150 Stücke

Referenzpreis: USD 0.29832

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SQS411ENW-T1_GE3.pdf

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SQS411ENW-T1_GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SQS411ENW-T1_GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SQS411ENW-T1_GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQS411ENW-T1_GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27.3 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3191pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	53.6W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8W
Paket / fall	PowerPAK® 1212-8W
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQS411ENW-T1_GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SQS411ENW-T1_GE3-FT

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