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Vishay Siliconix SQS966ENW-T1_GE3

Name: SQS966ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS966ENW-T1_GE3
Price: 0.342432 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (182 reviews)

MFG-Teilenummer: SQS966ENW-T1_GE3

verfügbare Anzahl: 39550 Stücke

Referenzpreis: USD 0.342432

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N-CHAN 60V

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SQS966ENW-T1_GE3.pdf

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SQS966ENW-T1_GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SQS966ENW-T1_GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SQS966ENW-T1_GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQS966ENW-T1_GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	8.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	572pF @ 25V
Leistung max	27.8W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	PowerPAK® 1212-8W
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8W
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQS966ENW-T1_GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SQS966ENW-T1_GE3-FT

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