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Vishay Siliconix SQV120N10-3M8_GE3

Name: SQV120N10-3M8_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQV120N10-3M8_GE3
Price: 1.65552 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (477 reviews)

MFG-Teilenummer: SQV120N10-3M8_GE3

verfügbare Anzahl: 68710 Stücke

Referenzpreis: USD 1.65552

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SQV120N10-3M8_GE3.pdf

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SQV120N10-3M8_GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SQV120N10-3M8_GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SQV120N10-3M8_GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQV120N10-3M8_GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	190nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7230pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	250W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-262-3
Paket / fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQV120N10-3M8_GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SQV120N10-3M8_GE3-FT

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