Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / SRA1060 C0G
Herstellerteilenummer | SRA1060 C0G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SRA1060 C0G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SRA1060 C0G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 60V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500µA @ 60V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-2 |
Supplier Device Package | TO-220AC |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRA1060 C0G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SRA1060 C0G-FT |
SRA1030 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1030HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1040 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1050 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1050HC0G
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SRA1060HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1090 C0G
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SRA1090HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA16100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA16100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
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EP1SGX40GF1020C6
Intel