Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / SRAS840HMNG
Herstellerteilenummer | SRAS840HMNG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SRAS840HMNG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
SRAS840HMNG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 40V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 8A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 40V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRAS840HMNG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SRAS840HMNG-FT |
UGF10J C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF12JD C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF12JDHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF12JHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF5J C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF8JD C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF8JHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSP10H45S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSP10U100S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSP20U60S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel