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Herstellerteilenummer | SRP3012TA-R82M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SRP3012TA-R82M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SRP3012TA |
SRP3012TA-R82M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Carbonyl Powder |
Induktivität | 820nH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 3.5A |
Strom - Sättigung | 5.8A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 48 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 71MHz |
Bewertungen | AEC-Q200 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 2-SMD |
Supplier Device Package | 2-SMD |
Größe / Abmessung | 0.138" L x 0.126" W (3.50mm x 3.20mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.047" (1.20mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRP3012TA-R82M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SRP3012TA-R82M-FT |
IDCS5020ER470M
Vishay Dale
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IDCS7328ER151M
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel