Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / SS150TI60110
Herstellerteilenummer | SS150TI60110 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SS150TI60110 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SS150TI60110 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 3 Independent |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 5A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50µA @ 600V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Supplier Device Package | DE150 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS150TI60110 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SS150TI60110-FT |
MDD26-14N1B
IXYS
MDD26-18N1B
IXYS
MDD44-08N1B
IXYS
MDD44-12N1B
IXYS
MDD44-14N1B
IXYS
MDD44-18N1B
IXYS
MDD56-08N1B
IXYS
MDD56-12N1B
IXYS
MDD56-14N1B
IXYS
MDD56-16N1B
IXYS
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel