Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / SS1H10HE3_B/H
Herstellerteilenummer | SS1H10HE3_B/H |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SS1H10HE3_B/H |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
SS1H10HE3_B/H Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 860mV @ 2A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | SMA (DO-214AC) |
Betriebstemperatur - Übergang | 175°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS1H10HE3_B/H Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SS1H10HE3_B/H-FT |
S1G-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10MQ040NTRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10M-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1B-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRA140TRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20J-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26S-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2K-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQ80M
Microsemi Corporation
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
APA600-FG676
Microsemi Corporation
A40MX02-1PQ100
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
Intel