Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / SS1H10HE3_B/I
Herstellerteilenummer | SS1H10HE3_B/I |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SS1H10HE3_B/I |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
SS1H10HE3_B/I Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 860mV @ 2A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | SMA (DO-214AC) |
Betriebstemperatur - Übergang | 175°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS1H10HE3_B/I Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SS1H10HE3_B/I-FT |
VS-2EJH02HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH01-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH01-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH01HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH01HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH02-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH02-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH02HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJH02HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3L45-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel