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Herstellerteilenummer | SS1H10LS RVG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SS1H10LS RVG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SS1H10LS RVG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-123H |
Supplier Device Package | SOD-123HE |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS1H10LS RVG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SS1H10LS RVG-FT |
HS1MLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S15DLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110LW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16LWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS1H4LW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel