Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / SS2H10-E3/5BT
Herstellerteilenummer | SS2H10-E3/5BT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SS2H10-E3/5BT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SS2H10-E3/5BT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 790mV @ 2A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AA, SMB |
Supplier Device Package | DO-214AA (SMB) |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS2H10-E3/5BT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SS2H10-E3/5BT-FT |
UH1CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1D-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1D-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1DHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1AHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1AHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel