Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / SS3H10HE3/9AT
Herstellerteilenummer | SS3H10HE3/9AT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SS3H10HE3/9AT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SS3H10HE3/9AT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 20µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AB, SMC |
Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS3H10HE3/9AT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SS3H10HE3/9AT-FT |
MURS320-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS320-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS320HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS320HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS320HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS340-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS340-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS340-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS340HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS340HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel