Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / SS3H9HE3_B/H
Herstellerteilenummer | SS3H9HE3_B/H |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SS3H9HE3_B/H |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
SS3H9HE3_B/H Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 90V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 20µA @ 90V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AB, SMC |
Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS3H9HE3_B/H Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SS3H9HE3_B/H-FT |
DZ1100N22KHPSA2
Infineon Technologies
DZ540N20KHPSA1
Infineon Technologies
DZ540N22KHPSA1
Infineon Technologies
DZ540N26KHPSA1
Infineon Technologies
DZ600N12KHPSA1
Infineon Technologies
DZ600N14KHPSA1
Infineon Technologies
DZ600N16KHPSA1
Infineon Technologies
ES1JF R2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GATELEAD1110008XPSA1
Infineon Technologies
GP2D005A065A
Global Power Technologies Group
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel