Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / SSA33LHE3_A/I
Herstellerteilenummer | SSA33LHE3_A/I |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SSA33LHE3_A/I |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
SSA33LHE3_A/I Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500µA @ 30V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSA33LHE3_A/I Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SSA33LHE3_A/I-FT |
S1BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1D-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1D-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1G-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1G-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1J-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1J-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel