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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J36MFV,L3F
- MFG-Teilenummer
- SSM3J36MFV,L3F
- verfügbare Anzahl
- 18350 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- U-MOSIII MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- SSM3J36MFV,L3F.pdf
SSM3J36MFV,L3F Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | SSM3J36MFV,L3F |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-SSM3J36MFV,L3F |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | U-MOSIII |
| SSM3J36MFV,L3F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 330mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 43pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 150mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | VESM |
| Paket / fall | SOT-723 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SSM3J36MFV,L3F Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | SSM3J36MFV,L3F-FT |
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