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Toshiba Semiconductor and Storage SSM5G10TU(TE85L,F)

Name: SSM5G10TU(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM5G10TU(TE85L,F)
Availability: InStock
Rating: 4.8 (209 reviews)

MFG-Teilenummer: SSM5G10TU(TE85L,F)

verfügbare Anzahl: 85260 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSIII MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SSM5G10TU(TE85L,F).pdf

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SSM5G10TU(TE85L,F) Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SSM5G10TU(TE85L,F)
Zukünftige Teilenummer	FT-SSM5G10TU(TE85L,F)
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSIII
SSM5G10TU(TE85L,F) Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	1.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	213 mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	6.4nC @ 4V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 10V
FET-Funktion	Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)	500mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	UFV
Paket / fall	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM5G10TU(TE85L,F) Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SSM5G10TU(TE85L,F)-FT

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