Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SSM6J206FE(TE85L,F
Herstellerteilenummer | SSM6J206FE(TE85L,F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SSM6J206FE(TE85L,F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SSM6J206FE(TE85L,F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 1A, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 335pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 500mW (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | ES6 (1.6x1.6) |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM6J206FE(TE85L,F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SSM6J206FE(TE85L,F-FT |
SIHG039N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHG050N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHG065N60E-GE3
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SIHG100N60E-GE3
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SIHG180N60E-GE3
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SIHG21N65EF-GE3
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SIHG22N60E-GE3
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SIHG22N65E-GE3
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SIHG24N65E-E3
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SIHG24N65E-GE3
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A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel