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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J212FE,LF
- MFG-Teilenummer
- SSM6J212FE,LF
- verfügbare Anzahl
- 66440 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.124
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- U-MOSVI MOSFET P-CH 20V 4A ES6
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- SSM6J212FE,LF.pdf
SSM6J212FE,LF Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | SSM6J212FE,LF |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-SSM6J212FE,LF |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | U-MOSVI |
| SSM6J212FE,LF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40.7 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14.1nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 970pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 500mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SSM6J212FE,LF Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | SSM6J212FE,LF-FT |
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