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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J213FE(TE85L,F

Name: SSM6J213FE(TE85L,F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J213FE(TE85L,F
Price: 0.0792 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (12 reviews)

MFG-Teilenummer: SSM6J213FE(TE85L,F

verfügbare Anzahl: 90100 Stücke

Referenzpreis: USD 0.0792

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: U-MOSVI MOSFET P CH 20V 2.6A ES6

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SSM6J213FE(TE85L,F.pdf

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SSM6J213FE(TE85L,F Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SSM6J213FE(TE85L,F
Zukünftige Teilenummer	FT-SSM6J213FE(TE85L,F
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	U-MOSVI
SSM6J213FE(TE85L,F Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	2.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	103 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	4.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	500mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	ES6
Paket / fall	SOT-563, SOT-666
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6J213FE(TE85L,F Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SSM6J213FE(TE85L,F-FT

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