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STMicroelectronics STB120N4F6

Name: STB120N4F6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB120N4F6
Price: 1.2936 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (304 reviews)

MFG-Teilenummer: STB120N4F6

verfügbare Anzahl: 43290 Stücke

Referenzpreis: USD 1.2936

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Hersteller: STMicroelectronics

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: STB120N4F6.pdf

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STB120N4F6 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	STB120N4F6
Zukünftige Teilenummer	FT-STB120N4F6
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
STB120N4F6 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3850pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	110W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D2PAK
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB120N4F6 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	STB120N4F6-FT

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