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STB12NM50ND Image

STMicroelectronics STB12NM50ND

MFG-Teilenummer
STB12NM50ND
verfügbare Anzahl
58820 Stücke
Referenzpreis
USD 1.904384
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
FDmesh™ II MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
STB12NM50ND.pdf
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STB12NM50ND Spezifikationen

Herstellerteilenummer STB12NM50ND
Zukünftige Teilenummer FT-STB12NM50ND
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie FDmesh™ II
STB12NM50ND Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package D2PAK
Paket / fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB12NM50ND Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer STB12NM50ND-FT

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