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STMicroelectronics STB30NM60ND

Name: STB30NM60ND
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB30NM60ND
Availability: InStock
Rating: 4.5 (17 reviews)

MFG-Teilenummer: STB30NM60ND

verfügbare Anzahl: 58550 Stücke

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Hersteller: STMicroelectronics

Kurze Beschreibung: FDmesh™ II MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: STB30NM60ND.pdf

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STB30NM60ND Spezifikationen

Herstellerteilenummer	STB30NM60ND
Zukünftige Teilenummer	FT-STB30NM60ND
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	FDmesh™ II
STB30NM60ND Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2800pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	190W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D2PAK
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB30NM60ND Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	STB30NM60ND-FT

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