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STB7ANM60N Image

STMicroelectronics STB7ANM60N

MFG-Teilenummer
STB7ANM60N
verfügbare Anzahl
80520 Stücke
Referenzpreis
USD 1.25664
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II MOSFET N-CH 600V DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
STB7ANM60N.pdf
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STB7ANM60N Spezifikationen

Herstellerteilenummer STB7ANM60N
Zukünftige Teilenummer FT-STB7ANM60N
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
STB7ANM60N Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 363pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package D2PAK
Paket / fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB7ANM60N Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer STB7ANM60N-FT

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