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STMicroelectronics STD10NM65N
- MFG-Teilenummer
- STD10NM65N
- verfügbare Anzahl
- 76530 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- STMicroelectronics
- Kurze Beschreibung
- MDmesh™ II MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- STD10NM65N.pdf
STD10NM65N Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | STD10NM65N |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-STD10NM65N |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | MDmesh™ II |
| STD10NM65N Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 90W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| STD10NM65N Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | STD10NM65N-FT |
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