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STMicroelectronics STD6NM60N-1

MFG-Teilenummer
STD6NM60N-1
verfügbare Anzahl
94940 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
MDmesh™ II MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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STD6NM60N-1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer STD6NM60N-1
Zukünftige Teilenummer FT-STD6NM60N-1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie MDmesh™ II
STD6NM60N-1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 4.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 920 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package I-PAK
Paket / fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD6NM60N-1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer STD6NM60N-1-FT

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