Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / STFI10N65K3
Herstellerteilenummer | STFI10N65K3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-STFI10N65K3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SuperMESH3™ |
STFI10N65K3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 3.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1180pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 35W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | I2PAKFP (TO-281) |
Paket / fall | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STFI10N65K3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | STFI10N65K3-FT |
STF25NM60N
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XC6VLX195T-2FFG784I
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