Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / STGB6M65DF2
Herstellerteilenummer | STGB6M65DF2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-STGB6M65DF2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | M |
STGB6M65DF2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 650V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 12A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 24A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 6A |
Leistung max | 88W |
Energie wechseln | 36µJ (on), 200µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 21.2nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 15ns/90ns |
Testbedingung | 400V, 6A, 22 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 140ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | D2PAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGB6M65DF2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | STGB6M65DF2-FT |
IKW40N65F5AXKSA1
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IKW40N65H5AXKSA1
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XC3S100E-5TQG144C
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EP2A15F672C7
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EP1K100FC484-3N
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XC7V585T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-PQ100A
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EPF6016AQC208-3N
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