Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / STGW35NB60SD
Herstellerteilenummer | STGW35NB60SD |
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Zukünftige Teilenummer | FT-STGW35NB60SD |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PowerMESH™ |
STGW35NB60SD Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 600V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 70A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 250A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 20A |
Leistung max | 200W |
Energie wechseln | 840µJ (on), 7.4mJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 83nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 92ns/1.1µs |
Testbedingung | 480V, 20A, 100 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 44ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGW35NB60SD Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | STGW35NB60SD-FT |
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XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FG676C
Xilinx Inc.
A54SX16-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4N
Intel
5SGXMA5N1F40C2N
Intel
5SGSMD5K2F40C1
Intel
A42MX16-2TQ176
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6
Intel
EP4SGX70HF35I3N
Intel