Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / STGW40H120F2
Herstellerteilenummer | STGW40H120F2 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-STGW40H120F2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
STGW40H120F2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 40A |
Leistung max | 468W |
Energie wechseln | 1mJ (on), 1.32mJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 158nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 18ns/152ns |
Testbedingung | 600V, 40A, 10 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGW40H120F2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | STGW40H120F2-FT |
SKB06N60ATMA1
Infineon Technologies
SKB06N60HSATMA1
Infineon Technologies
SKB10N60AATMA1
Infineon Technologies
SKB15N60 E8151
Infineon Technologies
SKB15N60ATMA1
Infineon Technologies
SKB15N60HSATMA1
Infineon Technologies
GT8G133(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TIG052TS-TL-E
ON Semiconductor
GT10G131(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
STGFW40H65FB
STMicroelectronics
A3PN015-QNG68
Microsemi Corporation
A3PN020-1QNG68I
Microsemi Corporation
XCV100E-6FG256I
Xilinx Inc.
APA1000-LG624M
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG256
Microsemi Corporation
EP3SL200F1517I4
Intel
LFEC10E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27I1SG
Intel