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STMicroelectronics STH110N8F7-2
- MFG-Teilenummer
- STH110N8F7-2
- verfügbare Anzahl
- 92850 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.590128
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- STMicroelectronics
- Kurze Beschreibung
- STripFET™ F7 MOSFET
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- STH110N8F7-2.pdf
STH110N8F7-2 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | STH110N8F7-2 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-STH110N8F7-2 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | STripFET™ F7 |
| STH110N8F7-2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 110A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6 mOhm @ 55A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 170W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | H2Pak-2 |
| Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| STH110N8F7-2 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | STH110N8F7-2-FT |
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