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Herstellerteilenummer | STH180N10F3-2 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-STH180N10F3-2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | STripFET™ III |
STH180N10F3-2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 180A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 114.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6665pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 315W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | H2Pak-2 |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STH180N10F3-2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | STH180N10F3-2-FT |
TSM015NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM018NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM024NA04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM025NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM025NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM026NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM033NA04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM033NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM033NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM036N03PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel