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STMicroelectronics STH260N6F6-6

Name: STH260N6F6-6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STH260N6F6-6
Price: 2.043888 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (518 reviews)

MFG-Teilenummer: STH260N6F6-6

verfügbare Anzahl: 23180 Stücke

Referenzpreis: USD 2.043888

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Hersteller: STMicroelectronics

Kurze Beschreibung: DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: STH260N6F6-6.pdf

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STH260N6F6-6 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	STH260N6F6-6
Zukünftige Teilenummer	FT-STH260N6F6-6
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VI
STH260N6F6-6 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	183nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	11800pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	H2PAK-6
Paket / fall	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STH260N6F6-6 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	STH260N6F6-6-FT

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