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STMicroelectronics STH275N8F7-6AG

MFG-Teilenummer
STH275N8F7-6AG
verfügbare Anzahl
12710 Stücke
Referenzpreis
USD 2.3528
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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STH275N8F7-6AG Spezifikationen

Herstellerteilenummer STH275N8F7-6AG
Zukünftige Teilenummer FT-STH275N8F7-6AG
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
STH275N8F7-6AG Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 193nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13600pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 315W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package H2PAK-6
Paket / fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STH275N8F7-6AG Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer STH275N8F7-6AG-FT

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