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STMicroelectronics STH315N10F7-2

Name: STH315N10F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STH315N10F7-2
Price: 2.848272 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (768 reviews)

MFG-Teilenummer: STH315N10F7-2

verfügbare Anzahl: 30230 Stücke

Referenzpreis: USD 2.848272

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Hersteller: STMicroelectronics

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: STH315N10F7-2.pdf

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STH315N10F7-2 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	STH315N10F7-2
Zukünftige Teilenummer	FT-STH315N10F7-2
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
STH315N10F7-2 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	12800pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	315W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	H2Pak-2
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STH315N10F7-2 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	STH315N10F7-2-FT

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