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STMicroelectronics STH80N10F7-2

MFG-Teilenummer
STH80N10F7-2
verfügbare Anzahl
21970 Stücke
Referenzpreis
USD 1.169536
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
DeepGATE™, STripFET™ VII MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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STH80N10F7-2 Spezifikationen

Herstellerteilenummer STH80N10F7-2
Zukünftige Teilenummer FT-STH80N10F7-2
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII
STH80N10F7-2 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 110W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package H2Pak-2
Paket / fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STH80N10F7-2 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer STH80N10F7-2-FT

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