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STMicroelectronics STL19N60M2

Name: STL19N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STL19N60M2
Price: 1.14048 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (77 reviews)

MFG-Teilenummer: STL19N60M2

verfügbare Anzahl: 15060 Stücke

Referenzpreis: USD 1.14048

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Hersteller: STMicroelectronics

Kurze Beschreibung: MDmesh™ M2 MOSFET NCH 600V 11A POWERFLAT

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: STL19N60M2.pdf

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STL19N60M2 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	STL19N60M2
Zukünftige Teilenummer	FT-STL19N60M2
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	MDmesh™ M2
STL19N60M2 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	21.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	791pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	90W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerFlat™ (8x8) HV
Paket / fall	8-PowerVDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STL19N60M2 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	STL19N60M2-FT

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