Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / STL9P2UH7
Herstellerteilenummer | STL9P2UH7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-STL9P2UH7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | STripFET™ |
STL9P2UH7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2390pF @ 16V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.9W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
Paket / fall | 8-PowerVDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL9P2UH7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | STL9P2UH7-FT |
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A1020B-2VQ80I
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5SGXMB6R2F40I2N
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XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
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LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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